PcoreTM2 E2B 全碳化硅半橋MOSFET模塊BMF240R12E2G3 BMF240R12E2C4-傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷

基本™（BASiC Semiconductor）SOT227碳化硅MOSFET模塊B2M012120N

適用于液冷充電樁電源的基本™（BASiC Semiconductor）SiC碳化硅MOSFET模塊-傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷

適用于三相三電平維也納PFC的基本™（BASiC Semiconductor）SiC碳化硅MOSFET模塊-傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷

傾佳電子（Changer Tech）致力于國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場(chǎng)的推廣！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!

 

國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件可靠性及一致性如何確保？

電力電子系統(tǒng)研發(fā)制造商一般需要碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商提供可靠性測(cè)試報(bào)告的原始數(shù)據(jù)和器件封裝的FT數(shù)據(jù)。

SiC碳化硅MOSFET可靠性報(bào)告原始數(shù)據(jù)主要來自以下可靠性測(cè)試環(huán)節(jié)的測(cè)試前后的數(shù)據(jù)對(duì)比，通過對(duì)齊可靠性報(bào)告原始數(shù)據(jù)測(cè)試前后漂移量的對(duì)比，從而反映器件的可靠性控制標(biāo)準(zhǔn)及真實(shí)的可靠性裕量。SiC碳化硅MOSFET可靠性報(bào)告原始數(shù)據(jù)主要包括以下數(shù)據(jù):

SiC碳化硅MOSFET高溫反偏High Temperature Reverse Bias HTRB Tj=175℃VDS=100%BV

SiC碳化硅MOSFET高溫柵偏（正壓）High Temperature Gate Bias（+） HTGB（+） Tj=175℃VGS=22V

SiC碳化硅MOSFET高溫柵偏（負(fù)壓）High Temperature Gate Bias（-） HTGB（-） Tj=175℃VGS=-8V

SiC碳化硅MOSFET高壓高濕高溫反偏High Voltage, High Humidity, High Temp. Reverse Bias HV-H3TRB Ta=85℃RH=85%VDS=80%BV

SiC碳化硅MOSFET高壓蒸煮Autoclave AC Ta=121℃RH=100%15psig

SiC碳化硅MOSFET溫度循環(huán)Temperature Cycling TC -55℃ to 150℃

SiC碳化硅MOSFET間歇工作壽命Intermittent Operational Life IOL △Tj≥100℃Ton=2minToff=2min

FT數(shù)據(jù)來自碳化硅MOSFET功率器件FT測(cè)試(Final Test，也稱為FT)是對(duì)已制造完成的碳化硅MOSFET功率器件進(jìn)行結(jié)構(gòu)及電氣功能確認(rèn)，以保證碳化硅MOSFET功率器件符合系統(tǒng)的需求。

通過分析碳化硅MOSFET功率器件FT數(shù)據(jù)的關(guān)鍵數(shù)據(jù)（比如V(BR)DSS，VGS(th)，RDS(on)，

IDSS）的正態(tài)分布，可以定性碳化硅MOSFET功率器件材料及制程的穩(wěn)定性，這些數(shù)據(jù)的定性對(duì)電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)及大批量制造的穩(wěn)定性也非常關(guān)鍵。

碳化硅（SiC）功率模塊在工業(yè)市場(chǎng)有許多應(yīng)用。這些模塊通常用于提高電能轉(zhuǎn)換和控制系統(tǒng)的效率，同時(shí)在高溫和高頻率環(huán)境下表現(xiàn)良好。以下是碳化硅功率模塊在工業(yè)市場(chǎng)中的一些主要應(yīng)用：

電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制： 碳化硅功率模塊可用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，提供高效率和高功率密度，降低能源損耗。

電源和逆變器： 在工業(yè)設(shè)備中，SiC功率模塊可用于設(shè)計(jì)高效率的電源和逆變器，適用于工業(yè)自動(dòng)化、機(jī)床和其他高功率應(yīng)用。

可再生能源系統(tǒng)： 碳化硅功率模塊在太陽能逆變器和風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)中得到廣泛應(yīng)用，提高了能源轉(zhuǎn)換效率。

焊接設(shè)備： 在工業(yè)焊接系統(tǒng)中，SiC功率模塊可以提供更高的功率密度、更高的頻率響應(yīng)和更高的效率。

電力傳輸與分配： SiC功率模塊可用于電力輸配系統(tǒng)，提供高效的電力轉(zhuǎn)換和分配。

電氣化交通： 在高速列車和電動(dòng)汽車中，碳化硅功率模塊可以提供更高的功率密度，減輕設(shè)備重量，提高系統(tǒng)效率。

工業(yè)加熱系統(tǒng)： 在高溫加熱系統(tǒng)中，SiC功率模塊可以提供更高的溫度穩(wěn)定性和更高的效率。

這些應(yīng)用表明碳化硅功率模塊在工業(yè)環(huán)境中能夠提供更高效、更可靠的解決方案，有助于提高系統(tǒng)性能并減少能源消耗。

BASiC基本™（BASiC Semiconductor）第二代SiC碳化硅MOSFET兩大主要特色：

 

1.出類拔萃的可靠性：相對(duì)競(jìng)品較為充足的設(shè)計(jì)余量來確保大規(guī)模制造時(shí)的器件可靠性。

BASiC基本™（BASiC Semiconductor）第二代SiC碳化硅MOSFET 1200V系列擊穿電壓BV值實(shí)測(cè)在1700V左右，高于市面主流競(jìng)品，擊穿電壓BV設(shè)計(jì)余量可以抵御碳化硅襯底外延材料及晶圓流片制程的擺動(dòng)，能夠確保大批量制造時(shí)的器件可靠性，這是BASiC基本™（BASiC Semiconductor）第二代SiC碳化硅MOSFET最關(guān)鍵的品質(zhì). BASiC基本™（BASiC Semiconductor）第二代SiC碳化硅MOSFET雪崩耐量裕量相對(duì)較高，也增強(qiáng)了在電力電子系統(tǒng)應(yīng)用中的可靠性。

 

2.可圈可點(diǎn)的器件性能：同規(guī)格較小的Crss帶來出色的開關(guān)性能。

BASiC基本™（BASiC Semiconductor）第二代SiC碳化硅MOSFET反向傳輸電容Crss 在市面主流競(jìng)品中是比較小的，帶來關(guān)斷損耗Eoff也是市面主流產(chǎn)品中非常出色的，優(yōu)于部分海外競(jìng)品，特別適用于LLC應(yīng)用，典型應(yīng)用如充電樁電源模塊后級(jí)DC-DC應(yīng)用。

 

Ciss：輸入電容（Ciss＝Cgd＋Cgs） ⇒柵極-漏極和柵極-源極電容之和：它影響延遲時(shí)間；Ciss越大，延遲時(shí)間越長(zhǎng)。BASiC基本™（BASiC Semiconductor）第二代SiC碳化硅MOSFET 優(yōu)于主流競(jìng)品。

Crss：反向傳輸電容（Crss＝Cgd） ⇒柵極-漏極電容：Crss越小，漏極電流上升特性越好，這有利于MOSFET的損耗，在開關(guān)過程中對(duì)切換時(shí)間起決定作用，高速驅(qū)動(dòng)需要低Crss。

Coss：輸出電容（Coss＝Cgd＋Cds）⇒柵極-漏極和漏極-源極電容之和：它影響關(guān)斷特性和輕載時(shí)的損耗。如果Coss較大，關(guān)斷dv／dt減小，這有利于噪聲。但輕載時(shí)的損耗增加。

基本™（BASiC Semiconductor）B2M第二代碳化硅MOSFET器件主要特色：

• 比導(dǎo)通電阻降低40%左右

• Qg降低了60%左右

• 開關(guān)損耗降低了約30%

• 降低Coss參數(shù)，更適合軟開關(guān)

• 降低Crss，及提高Ciss/Crss比值,降低器件在串?dāng)_行為下誤導(dǎo)通風(fēng)險(xiǎn)

• 最大工作結(jié)溫175℃• HTRB、 HTGB+、 HTGB-可靠性按結(jié)溫Tj=175℃通過測(cè)試

• 優(yōu)化柵氧工藝，提高可靠性

• 高可靠性鈍化工藝

• 優(yōu)化終端環(huán)設(shè)計(jì)，降低高溫漏電流

• AEC-Q101

基本™（BASiC Semiconductor）推出工業(yè)級(jí)全碳化硅MOSFET功率模塊Pcore™2 E2B，BMF240R12E2G3基于高性能 6英寸晶圓平臺(tái)設(shè)計(jì)，在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、抗誤導(dǎo)通、抗雙極性退化等方面表現(xiàn)出色。

 

BMF240R12E2G3 BMF240R12E2C4可以替代英飛凌FF4MR12W2M1H_B70，F(xiàn)F6MR12W2M1HP_B11，F(xiàn)F6MR12W2M1H_B11，安森美NXH006P120MNF2，wolfspeed的CAB006A12GM3T，CAB006M12GM3T，CAB006M12GM3，CAB006A12GM3。

 

 

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

- 更穩(wěn)定導(dǎo)通電阻

新型內(nèi)部構(gòu)造極大抑制了碳化硅晶體缺陷引起的Rds(on)波動(dòng)。

- 更優(yōu)異抗噪特性

寬柵-源電壓范圍（Vgss: -10V~+25V），及更高閾值電壓范圍（Vth: 3V~5V），便于柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)。

- 更高可靠性

高性能氮化硅AMB陶瓷基板及高溫焊料引入，改善長(zhǎng)期高溫度沖擊循環(huán)的CTE失配。

 

應(yīng)用領(lǐng)域：燃料電池DCDC、數(shù)據(jù)中心UPS、大功率快速充電樁等。

 

傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷基本™（BASiC Semiconductor）國產(chǎn)車規(guī)級(jí)碳化硅(SiC)MOSFET，國產(chǎn)車規(guī)級(jí)AEC-Q101碳化硅(SiC)MOSFET，國產(chǎn)車規(guī)級(jí)PPAP碳化硅(SiC)MOSFET，全碳化硅MOSFET模塊，Easy封裝全碳化硅MOSFET模塊，62mm封裝全碳化硅MOSFET模塊，F(xiàn)ull SiC Module，SiC MOSFET模塊適用于超級(jí)充電樁，V2G充電樁，高壓柔性直流輸電智能電網(wǎng)(HVDC)，空調(diào)熱泵驅(qū)動(dòng)，機(jī)車輔助電源，儲(chǔ)能變流器PCS,光伏逆變器,超高頻逆變焊機(jī)，超高頻伺服驅(qū)動(dòng)器，高速電機(jī)變頻器等，光伏逆變器專用直流升壓模塊BOOST Module，儲(chǔ)能PCS變流器ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊，光儲(chǔ)碳化硅MOSFET。專業(yè)分銷基本™（BASiC Semiconductor）SiC碳化硅MOSFET模塊及分立器件，全力支持中國電力電子工業(yè)發(fā)展！

 

汽車級(jí)全碳化硅功率模塊是BASiC基本™（BASiC Semiconductor）為新能源汽車主逆變器應(yīng)用需求而研發(fā)推出的系列MOSFET功率模塊產(chǎn)品，包括Pcore™6‍汽車級(jí)HPD模塊、‍Pcore™2‍汽車級(jí)DCM模塊、‍Pcore™1‍汽車級(jí)TPAK模塊、Pcore™2‍汽車級(jí)ED3模塊等，采用銀燒結(jié)技術(shù)等BASiC基本™（BASiC Semiconductor）最新的碳化硅 MOSFET 設(shè)計(jì)生產(chǎn)工藝，綜合性能達(dá)到國際先進(jìn)水平，通過提升動(dòng)力系統(tǒng)逆變器的轉(zhuǎn)換效率，進(jìn)而提高新能源汽車的能源效率和續(xù)航里程。主要產(chǎn)品規(guī)格有：BMS800R12HWC4_B02，BMS600R12HWC4_B01，BMS950R12HWC4_B02，BMS700R12HWC4_B01，BMS800R12HLWC4_B02，BMS600R12HLWC4_B01，BMS950R12HLWC4_B02，BMS700R12HLWC4_B01，BMF800R12FC4，BMF600R12FC4，BMF950R08FC4，BMF700R08FC4，BMZ200R12TC4，BMZ250R08TC4

 

傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷BASiC基本™（BASiC Semiconductor）碳化硅(SiC)MOSFET專用雙通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片BTD25350，原方帶死區(qū)時(shí)間設(shè)置，副方帶米勒鉗位功能，為碳化硅功率器件SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)而優(yōu)化。

BTD25350適用于以下碳化硅功率器件應(yīng)用場(chǎng)景：

充電樁中后級(jí)LLC用SiC MOSFET 方案

光伏儲(chǔ)能BUCK-BOOST中SiC MOSFET方案

高頻APF，用兩電平的三相全橋SiC MOSFET方案

空調(diào)壓縮機(jī)三相全橋SiC MOSFET方案

OBC后級(jí)LLC中的SIC MOSFET方案

服務(wù)器交流側(cè)圖騰柱PFC高頻臂GaN或者SiC方案

 

碳化硅MOSFET具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能，是目前電力電子領(lǐng)域最受關(guān)注的寬禁帶功率半導(dǎo)體器件。在電力電子系統(tǒng)中應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件，可提高功率回路開關(guān)頻率，提升系統(tǒng)效率及功率密度，降低系統(tǒng)綜合成本。適用于高性能變換器電路與數(shù)字化先進(jìn)控制、高效率 DC/DC 拓?fù)渑c控制，雙向 AC/DC、電動(dòng)汽車車載充電機(jī)（OBC）/雙向OBC、車載電源、集成化 OBC ，雙向 DC/DC、多端口 DC/DC 拓?fù)渑c控制，直流配網(wǎng)的電力電子變換器。