國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™SiC碳化硅MOSFET模塊正在替代英飛凌三菱賽米控富士IGBT模塊!

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使用國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅電力電子系統(tǒng)！-傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷

使用國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™SiC碳化硅MOSFET升級(jí)傳統(tǒng)IGBT變流器，實(shí)現(xiàn)更高的變流效率，更小的變流體積重量！更低的變流成本！

 

隨著銅價(jià)暴漲高燒不退，如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點(diǎn)，使用國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™碳化硅MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊，可以顯著提頻降低系統(tǒng)綜合成本（電感磁性元件，散熱系統(tǒng)，整機(jī)重量），電力電子系統(tǒng)的全碳SiC時(shí)代，未來(lái)已來(lái)！傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™SiC碳化硅MOSFET！

 

傾佳電子（Changer Tech）致力于國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™國(guó)產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT，全力推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™國(guó)產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET加速革掉IGBT的命！Changer Tech is making every effort to promote the domestic BASiC silicon carbide (SiC) MOSFET to accelerate the replacement of IGBT!

 

傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™2000V系列SiC碳化硅MOSFET-國(guó)產(chǎn)替代英飛凌IMYH200R100M1H，IMYH200R075M1H，IMYH200R050M1H，IMYH200R024M1H，IMYH200R012M1H，DF4-19MR20W3M1HF_B11，F(xiàn)F4MR20KM1HP，F(xiàn)F3MR20KM1H，F(xiàn)F5MR20KM1HP，F(xiàn)F5MR20KM1H，F(xiàn)F4MR20KM1H，F(xiàn)F3MR20KM1HP。

 

基本公司™SiC碳化硅MOSFET功率模塊兼容替代Infineon英飛凌FF900R12ME7W_B11，F(xiàn)F900R17ME7W_B11，F(xiàn)F450R12KT4，F(xiàn)F600R12ME4_B72，F(xiàn)F750R12ME7_B11，F(xiàn)F900R12ME7P_B11，IFF600B12ME4_B11，F(xiàn)F600R12KE4

 

基本公司™SiC碳化硅MOSFET功率模塊兼容替代賽米控丹佛斯SK40MD120CR03ETE1，SK40MB120CR03TE1，SKKE60S12，SK80MB120CR03TE1，SK150MB120CR03TE2，SK200MB120CR03TE2，SKM125KD12SC，SK250MB120CR03TE2V1，SK250MB120CR03TE2，SKM350MB120SCH15，SKM350MB120SCH17，SKM500MB120SC，SKM260MB170SCH17

 

基本公司™SiC碳化硅MOSFET功率模塊兼容替代FUJI富士2MBI600HA120-50，2MBI450HA120-50，2MBI450NA120-50，2MBI600NG120-50，2MBI800NE120-50，2MBI1000RNE120-50，2MBI450NA170-50，2MBI600NG170-50，2MBI800RNE170-50，2CSI300DAHE120-50，2CSI450DAHE120-50，2CSI600DAHE120-50，2CSI200DAHE170-50，2CSI300DAHE170-50，2CSI400DAHE170-50

 

傾佳電子（Changer Tech）致力于國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™國(guó)產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場(chǎng)的推廣！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!

 

國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™2000V系列SiC碳化硅MOSFET適用于1500V光儲(chǔ)系統(tǒng)，1500V系統(tǒng)大組串SiC光伏逆變器，1500V系統(tǒng)儲(chǔ)能變流器PCS，1500V系統(tǒng)固態(tài)斷路器，固態(tài)變壓器等。

 

大組串IGBT光伏逆變器MPPT傳統(tǒng)上使用飛跨電容IGBT方案，控制復(fù)雜，頻率低，采用國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™2000V系列SiC碳化硅MOSFET進(jìn)行兩電平改造，控制簡(jiǎn)單可靠，頻率提升，電感成本降低，MPPT部分提升效率，降低成本。

 

IGBT芯片技術(shù)不斷發(fā)展，但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進(jìn)幅度越來(lái)越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來(lái)越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導(dǎo)體提供了實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開關(guān)損耗，從而提高開關(guān)頻率。進(jìn)一步的，可以優(yōu)化濾波器組件，相應(yīng)的損耗會(huì)下降，從而全面減少系統(tǒng)損耗。通過(guò)采用低電感SiC MOSFET功率模塊，與同樣封裝的Si IGBT模塊相比，功率損耗可以降低約70%左右，可以將開關(guān)頻率提5倍（實(shí)現(xiàn)顯著的濾波器優(yōu)化），同時(shí)保持最高結(jié)溫低于最大規(guī)定值。

 

未來(lái)隨著設(shè)備和工藝能力的推進(jìn)，更小的元胞尺寸、更低的比導(dǎo)通電阻、更低的開關(guān)損耗、更好的柵氧保護(hù)是SiC碳化硅MOSFET技術(shù)的主要發(fā)展方向，體現(xiàn)在應(yīng)用端上則是更好的性能和更高的可靠性。

為此，BASiC™國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™研發(fā)推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET，該系列產(chǎn)品進(jìn)一步優(yōu)化鈍化層，提升可靠性，相比上一代產(chǎn)品擁有更低比導(dǎo)通電阻、器件開關(guān)損耗，以及更高可靠性等優(yōu)越性能，可助力光伏儲(chǔ)能、新能源汽車、直流快充、工業(yè)電源、通信電源、伺服驅(qū)動(dòng)、APF/SVG、熱泵驅(qū)動(dòng)、工業(yè)變頻器、逆變焊機(jī)、四象限工業(yè)變頻器等行業(yè)實(shí)現(xiàn)更為出色的能源效率和應(yīng)用可靠性。

 

為滿足光伏儲(chǔ)能領(lǐng)域高電壓、大功率的應(yīng)用需求，BASiC™國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™基于第二代SiC MOSFET技術(shù)平臺(tái)開發(fā)推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高壓系列碳化硅MOSFET，產(chǎn)品具有低導(dǎo)通電阻、低導(dǎo)通損耗、低開關(guān)損耗、支持更高開關(guān)頻率運(yùn)行等特點(diǎn)。

針對(duì)新能源汽車的應(yīng)用需求，BASiC™國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™研發(fā)推出符合AEC-Q101認(rèn)證和PPAP要求的1200V 80mΩ和40mΩ 的碳化硅MOSFET，可主要應(yīng)用在車載充電機(jī)及汽車空調(diào)壓縮機(jī)驅(qū)動(dòng)中。

B3M040120Z是BASiC™國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™基于第三代碳化硅MOSFET技術(shù)平臺(tái)開發(fā)的最新產(chǎn)品，該系列產(chǎn)品進(jìn)一步優(yōu)化鈍化層，提升可靠性，相對(duì)于上一代產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗以及可靠性方面有更進(jìn)一步提升。

BMF240R12E2G3是BASiC™國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™基于PcoreTM2 E2B封裝的1200V 5.5mΩ工業(yè)級(jí)全碳化硅半橋功率模塊，產(chǎn)品采用集成的NTC溫度傳感器、Press-Fit壓接技術(shù)以及高封裝可靠性的氮化硅AMB陶瓷基板，在導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、抗誤導(dǎo)通、抗雙極性退化等方面表現(xiàn)出色。

B2M040120T和B2M080120T是BASiC™國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™基于第二代碳化硅MOSFET技術(shù)開發(fā)的頂部散熱內(nèi)絕緣的塑封半橋模塊，主要應(yīng)用于OBC、空調(diào)壓縮機(jī)和工業(yè)電源中。

BASiC™國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™推出可支持米勒鉗位的雙通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片BTD25350系列，此驅(qū)動(dòng)芯片專為碳化硅MOSFET門極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，可高效可靠抑制碳化硅MOSFET的誤開通，還可用于驅(qū)動(dòng)MOSFET、IGBT等功率器件。

 

 

為了保持電力電子系統(tǒng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，同時(shí)也為了使最終用戶獲得經(jīng)濟(jì)效益，一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的優(yōu)勢(shì)所在。隨著IGBT技術(shù)到達(dá)發(fā)展瓶頸，加上SiC MOSFET絕對(duì)成本持續(xù)下降，使用SiC MOSFET替代升級(jí)IGBT已經(jīng)成為各類型電力電子應(yīng)用的主流趨勢(shì)。

 

 

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